ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Renesas Technology
NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Renesas Technology
Артикул
NP55N055SDG-E1-AY
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1784861
Технические параметры
Вес, г
0.4
Техническая документация
D16864EJ2V0DS00-1091059 , pdf
, 277 КБ
![NP55N055SDG-E1-AY, Транзистор N-MOSFET 55В 55A [TO-252]](/file/p_img/1784861.jpg)