ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTD4809NT4G, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 11.5 В, 2.5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTD4809NT4G, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 11.5 В, 2.…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTD4809NT4G, МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 30 В, 0.007 Ом, 11.5 В, 2.5 В
Последняя цена
80 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTD4809NT4G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785111
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
52Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
58А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.007Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
11.5В
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Вес, г
0.426
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 118 КБ
Datasheet NTD4809NT4G , pdf
, 283 КБ