ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMFS4C06NT1G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1785117
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
5вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
DFN
Рассеиваемая Мощность
30.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
69А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0032Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.1В
Вес, г
0.7
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet NTMFS4C06NT1G , pdf
, 89 КБ
NTMFS4C06N_D-2319054 , pdf
, 183 КБ
Datasheet NTMFS4C06NT1G , pdf
, 145 КБ
Datasheet , pdf
, 139 КБ