SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8], Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 100 руб.

Сравнить

Описание

• Без галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI4435DDY-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1791135

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

8,1 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

24 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Типичное время задержки выключения

40 нс, 45 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс, 42 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

15 нКл при 4,5 В, 32 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1350 pF @ 15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

si4435dd , pdf , 191 КБ
Datasheet , pdf , 274 КБ
Datasheet SI4435DDY-T1-GE3 , pdf , 274 КБ

SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8] - характеристики, поставщики

Последняя цена 100 руб.

Техническая документация