ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]
Последняя цена
71 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI5441BDC-T1-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1791148
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
1206
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
P Channel
Напряжение Истока-стока Vds
-20В
Непрерывный Ток Стока
-6.1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.08Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
8В
Пороговое Напряжение Vgs
12в
Вес, г
0.01
Техническая документация
Datasheet SI5441BDC-T1-GE3 , pdf
, 224 КБ
Datasheet SI5441BDC-T1-GE3 , pdf
, 229 КБ