ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI7114DN-T1-E3, Транзичтор, MOSFET N-CH 30V 11.7A [[PowerPAK SO-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI7114DN-T1-E3, Транзичтор, MOSFET N-CH 30V 11.7A [[PowerPAK SO-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI7114DN-T1-E3, Транзичтор, MOSFET N-CH 30V 11.7A [[PowerPAK SO-8]
Последняя цена
376 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SI7114DN-T1-E3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1791149
Технические параметры
Вес, г
0.13
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
11.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.0075 Ом/18.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
1.5
Крутизна характеристики, S
77
Корпус
PowerPAK-1212-8
Техническая документация
Datasheet SI7114DN-T1-E3 , pdf
, 105 КБ