ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PA…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 525 В; Iс(25°C): 4.4 А; @Uзатв(ном): 7...10 В; Uзатв(макс): 30 В; Qзатв: 17 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 525 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD5N52K3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793209
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
525
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Техническая документация
Datasheet STF5N52K3 , pdf
, 1194 КБ
...5N52K3 , pdf
, 1176 КБ