ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, DPAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, DPAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD4N62K3, Mosfet SuperMESH3, N-канал, 620 В, 1.7 Ом, 3.8 А, DPAK
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD4N62K3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793207
Технические параметры
Вес, г
0.6
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
620
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.95 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
70
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе
3…4.5
Техническая документация
...4N62K3 , pdf
, 1056 КБ