ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]
Последняя цена
33 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223-4
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STN4NF20L
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793550
Технические параметры
Вес, г
0.39
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
1.5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
3.3
Корпус
SOT-223
Техническая документация
STN4NF20L , pdf
, 604 КБ