STP110N7F6, Транзистор N-MOSFET 68В 110A [TO-220], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 68V 110A (Tc) 176W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP110N7F6

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793572

Технические параметры

Вес, г

2.7

Series

STripFETв„ў F6 ->

Base Product Number

STP110 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

110A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

68V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

176W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 55A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Техническая документация

dm00131056-1798135 , pdf , 634 КБ
Datasheet STP110N7F6 , pdf , 227 КБ
Datasheet , pdf , 634 КБ

STP110N7F6, Транзистор N-MOSFET 68В 110A [TO-220] - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.

Техническая документация