ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP11NK40Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP11NK40Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP11NK40Z
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 400 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 32 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 550 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793573
Технические параметры
Вес, г
3.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.55 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
35
Корпус
to-220
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 773 КБ
...11NK40Z , pdf
, 501 КБ