ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP30NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP30NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP30NF20, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-220]
Последняя цена
720 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP30NF20
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793597
Технические параметры
Вес, г
2.7
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Power Dissipation
125 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
stp30nf20-1851655 , pdf
, 373 КБ
Datasheet STP30NF20 , pdf
, 387 КБ