STP42N65M5, MOSFET транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP42N65M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793604

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

3.5

Максимальный непрерывный ток стока

33 А

Максимальное рассеяние мощности

190 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

79 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

MDmesh M5

Типичное время задержки выключения

65 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

61 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

100 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4650 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet STP42N65M5 , pdf , 973 КБ

STP42N65M5, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация