ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP3N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 6 Ом, 2.5А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP3N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 6 Ом, 2.5А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP3N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 6 Ом, 2.5А [TO-220]
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 800 В / 1500 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP3N150
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793599
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
140
Крутизна характеристики, S
2.6
Корпус
to-220
Пороговое напряжение на затворе
3…5
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1057 КБ
...3N150 , pdf
, 988 КБ