EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

STW48NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.055Ом, 44А [TO-247]
STW48NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.055Ом, 44А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW48NM60N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 44
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.07 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 330
Корпус to-247

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

STW45NM60, Транзистор MOSFET N-канал 650В 45А [TO-247]
STW45NM60, Транзистор MOSFET N-канал 650В 45А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW45NM60

MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 600V; Current, Id Cont: 45A; Resistance, Rds On: 0.11ohm; Volt…

STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]
STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW45NM50

N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics

STW42N65M5, Транзистор N-MOSFET 650В 33A [TO-247]
STW42N65M5, Транзистор N-MOSFET 650В 33A [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW42N65M5

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…

STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW34NM60N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.105 Ом/14.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Корпус to-247

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW26NM60N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Корпус to-247

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

STW24NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.168 Ом, 17 А, TO-247
STW24NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.168 Ом, 17 А, TO-247
Производитель: ST Microelectronics, STW24NM60N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Корпус to-247

STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STW20NM60
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 192
Крутизна характеристики, S 11
Корпус to-247

STW20NM60 - это N-канальный силовой МОП-транзистор на 600 В, разработанный с использованием революционной технологии MDmesh ™, которая связывает…

STW19NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.2 Ом, 14 А, TO-247
STW19NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.2 Ом, 14 А, TO-247
Производитель: ST Microelectronics, STW19NM50N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.25 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус to-247

MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0...0.25 Ом; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 34 нКл Корпус…

STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247
STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247
Производитель: ST Microelectronics, STW18NM60N
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.285 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус to-247