ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW34NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.092Ом, 29А [TO-247]
Последняя цена
340 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW34NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793850
Технические параметры
Вес, г
7.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
31.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.105 Ом/14.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
250
Корпус
to-247
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
...34NM60N , pdf
, 1543 КБ
Datasheet , pdf
, 1036 КБ
Datasheet , pdf
, 1014 КБ