ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW19NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.2 Ом, 14 А, TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW19NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.2 Ом, 14 А, TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW19NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.2 Ом, 14 А, TO-247
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0...0.25 Ом; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 34 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW19NM50N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793846
Технические параметры
Вес, г
8.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.25 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Корпус
to-247
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 734 КБ