TK6A60D(STA4,Q,M), Транзистор MOSFET N-канал 600В 6A [2-10U1B]
![TK6A60D(STA4,Q,M), Транзистор MOSFET N-канал 600В 6A [2-10U1B]](/file/p_img/1795492.jpg)
Производитель: Toshiba, TK6A60D(STA4,Q,M)
N-канал 600V 6A (Ta) 40W (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS
TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1B]
![TK15J50D(F), Транзистор, TT-MOSVII, N-канал, 500В, 15А [SC-65 / 2-16C1B]](/file/p_img/1795469.jpg)
Производитель: Toshiba, TK15J50D(F)
TK15A50D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 500В 15А TO-220SIS
Производитель: Toshiba, TK15A50D(STA4,Q,M)
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS]
![TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS]](/file/p_img/1795467.jpg)
Производитель: Toshiba, TK12A60D(STA4,Q,M)
МОП-транзистор N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F]
![TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F]](/file/p_img/1795466.jpg)
Производитель: Toshiba, TK10A60D(STA4.X.M)
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.75 Ом/5А, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Корпус | SC-67/2-10U1B |
SUM110P06-08L-E3, Транзистор MOSFET P-CH 60В 110А [D2PAK (2-pin + Tab)
Производитель: Vishay, SUM110P06-08L-E3
МОП-транзистор с каналом P, от 30 до 80 В, Vishay Semiconductor
SUM110P04-04L-E3, D2Pak 40В 4.2мОм 10В
Производитель: Vishay, SUM110P04-04L-E3
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0042 Ом/30a, 10В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.375 |
| Корпус | TO-263 |
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 781-SUM110P04-05-E3
SUD50P06-15-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -60 В, 0.012 Ом, -10 В, -3 В [TO-252]
![SUD50P06-15-GE3, МОП-транзистор, P Канал, -50 А, -60 В, 0.012 Ом, -10 В, -3 В [TO-252]](/file/p_img/1793872.jpg)
Производитель: Vishay, SUD50P06-15-GE3
| Структура | p-канал |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом/17a, 10В |
SUD50P06-15-GE3 - это силовой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом на 60 В и рассеиваемой мощностью 2,5 Вт. Этот силовой полевой МОП-транзистор…