EL

Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить

Полевые (FETs, MOSFETs)

ZVP2106A, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 0.28А [E-Line-3]
ZVP2106A, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 0.28А [E-Line-3]
Производитель: Diodes Incorporated, ZVP2106A
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.7
Корпус E-Line-3/TO-92

МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

ZVN2106A, Транзистор, MOSFET N-CH 60В 0.45А [E-Line-3]
ZVN2106A, Транзистор, MOSFET N-CH 60В 0.45А [E-Line-3]
Производитель: Diodes Incorporated, ZVN2106A
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 2 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.7
Корпус E-Line-3/TO-92

ZVN2106A - это полевой МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения и импульсным током стока 8А. • Напряжение источника затвора ± 2…

TSM6866SDCA RVG, Транзистор
Производитель: Taiwan Semiconductor, TSM6866SDCA RVG

TPC8119, МОП-транзистор, P-канал, 30 В, 10 А, 1.9 Вт, SO8
Производитель: Toshiba, TPC8119
Структура p-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.013 Ом/5a, 10В
Корпус 2-6J1B

TPC8107, Транзистор MOSFET P-CH 30В [SOP-8]
TPC8107, Транзистор MOSFET P-CH 30В [SOP-8]
Производитель: VBsemi Elec, TPC8107

TP2104N3-G, Транзистор MOSFET P-CH 40V 0.175A [TO-92]
TP2104N3-G, Транзистор MOSFET P-CH 40V 0.175A [TO-92]
Производитель: Microchip Technology, TP2104N3-G
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.74
Корпус to-92

Полевые МОП-транзисторы Supertex с P-каналом Линейка полевых DMOS-транзисторов Supertex с P-канальным режимом (нормально вык…

TP0610K-T1-E3, Транзистор, P-канал 60В 0.185А [SOT-23]
TP0610K-T1-E3, Транзистор, P-канал 60В 0.185А [SOT-23]
Производитель: Vishay, TP0610K-T1-E3
Структура p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.185
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6 Ом/0.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 0.08
Корпус SOT-23-3

TP0610K-T1-E3 - это силовой полевой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом и P-каналом 60VDS, подходящий для реле, соленоидов, ламп, молоточков,…

TK8A65W,S5X, Транзистор N-MOSFET 650В 7.8A [TO-220SIS]
TK8A65W,S5X, Транзистор N-MOSFET 650В 7.8A [TO-220SIS]
Производитель: Toshiba, TK8A65W,S5X

МОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel

TK8A60W,S4VX, Транзистор MOSFET N-CH 600В 8A [TO-220SIS]
TK8A60W,S4VX, Транзистор MOSFET N-CH 600В 8A [TO-220SIS]
Производитель: Toshiba, TK8A60W,S4VX

TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
Производитель: Toshiba, TK6A65D(STA4,Q,M)

МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm