ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW45NM60, Транзистор MOSFET N-канал 650В 45А [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW45NM60, Транзистор MOSFET N-канал 650В 45А [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW45NM60, Транзистор MOSFET N-канал 650В 45А [TO-247]
Последняя цена
440 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 600V; Current, Id Cont: 45A; Resistance, Rds On: 0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Case Style, Alternate: SOT-249; Charge, Gate N-channel: 134nC; Current, Idm Pulse: 180A; Pins, No. of: 3; Power, Pd: 417W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 0.11ohm; Temperature, Tj Max: 150°C; Temperature, Tj Min: -55°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds: 650V; Voltage, Vds Max: 650V; Voltage, Vgs Rds N Channel: 10V; Voltage, Vgs th Min: 3V
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW45NM60
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793853
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
7.5
Максимальный непрерывный ток стока
45 А
Максимальное рассеяние мощности
417 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.75мм
Серия
MDmesh
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
30 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
96 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3800 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
stw45nm60 , pdf
, 309 КБ
Datasheet STW45NM60 , pdf
, 304 КБ