ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW18NM60N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.26 Ом, 13 А, TO-247
Последняя цена
165 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW18NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793845
Технические параметры
Вес, г
6.503
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.285 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
110
Корпус
to-247
Техническая документация
...18NM60N , pdf
, 1175 КБ
Datasheet , pdf
, 1175 КБ