Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

FDC5612, Транзистор
FDC5612, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC5612

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

FDA70N20, Транзистор
FDA70N20, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDA70N20

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…

IPD60R950C6
IPD60R950C6
Производитель: Infineon Technologies

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7

IRFP250MPBF, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-247AC]
IRFP250MPBF, Транзистор N-MOSFET 200В 30A [TO-247AC]
Производитель: Infineon Technologies, IRFP250MPBF

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов I…

STD16N65M5, Транзистор [TO-252-3]
STD16N65M5, Транзистор [TO-252-3]
Производитель: ST Microelectronics, STD16N65M5

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных тополо…

MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17
MGF2445A-01, GaAs FET 12GHz GF-17
Производитель: Mitsubishi

FDS3672, Транзистор
FDS3672, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS3672

МОП-транзистор 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V

FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6
FDC658P, Транзистор, P, SUPERSOT-6
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDC658P

• Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Типичный низкий заряд затвора 8 нКл

SUM55P06-19L-E3, Транзистор, P-CH, 60V, 55A, TO-263
SUM55P06-19L-E3, Транзистор, P-CH, 60V, 55A, TO-263
Производитель: Vishay, SUM55P06-19L-E3

SUM55P06-19L-E3 - это силовой МОП-транзистор TrenchFET® с P-каналом на -60 В

SI7456DDP-T1-GE3, Транзистор
SI7456DDP-T1-GE3, Транзистор
Производитель: Vishay, SI7456DDP-T1-GE3

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor