SI7456DDP-T1-GE3, Транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 330 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI7456DDP-T1-GE3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806518

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

28 А

Максимальное рассеяние мощности

35,7 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5.26мм

Высота

1.12мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

31 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.25мм

Типичное время задержки выключения

20 нс

Тип корпуса

PowerPAK SO

Размеры

6.25 x 5.26 x 1.12мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

19,6 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

900 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 281 КБ
Datasheet SI7456DDP-T1-GE3 , pdf , 361 КБ
Datasheet , pdf , 360 КБ

SI7456DDP-T1-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 330 руб.

Техническая документация