STD16N65M5, Транзистор [TO-252-3], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD16N65M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1806606

Технические параметры

Вес, г

0.33

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Высота

2.4мм

Transistor Material

Кремний

Length

6.6мм

Brand

STMicroelectronics

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

MDmesh M5

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Power Dissipation

90 Вт

Width

6.2мм

Maximum Drain Source Resistance

279 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Техническая документация

Datasheet STD16N65M5 , pdf , 1367 КБ
Datasheet , pdf , 845 КБ

STD16N65M5, Транзистор [TO-252-3] - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация