FQD7N10LTM, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQD7N10LTM
• 100% лавинные испытания • Типичный низкий заряд затвора 4,6 нКл • Типичный низкий коэффициент сопротивления 12 пФ
FDB28N30TM, MOSFET,FDB28N30TM
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDB28N30TM
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-тран…
SPD30P06P, MOSFET транзистор
Производитель: Infineon Technologies, SPD30P06P
Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 30…
DN2540N5-G, Транзистор
Производитель: Microchip Technology, DN2540N5-G
DN2540N5-G - это N-канальный N-канальный транзистор на 400 В (нормально включенный), использующий передовую вертикальную структуру DMOS и хорошо…
SPW55N80C3, Транзистор 500W 54.9A 800V N Channel 0.085 32.6A,10V 3.9V 3.3mA [PG-TO247-3]
![SPW55N80C3, Транзистор 500W 54.9A 800V N Channel 0.085 32.6A,10V 3.9V 3.3mA [PG-TO247-3]](/file/p_img/1807882.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, SPW55N80C3
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
ZVP2106GTA, Транзистор
Производитель: Diodes Incorporated, ZVP2106GTA
МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
CSD19532Q5B, Транзистор
Производитель: Texas Instruments, CSD19532Q5B
CSD19532Q5B - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор NexFET ™, разработанный для минимизации потерь при преобразовании энергии. Он подхо…
FDP5800, MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0046 ohm, 20 V, 2.5 V
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDP5800
Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, более 60 А, Fairchild Semiconductor
IPP60R199CP, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IPP60R199CP
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CP