Ixys Corporation, Электронные компоненты/Транзисторы/Полевые (FETs, MOSFETs) - цена, информация


IXFN36N100, Транзистор
IXFN36N100, Транзистор
Производитель: Ixys Corporation, IXFN36N100

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™

IXFP14N60P3, Транзистор
IXFP14N60P3, Транзистор
Производитель: Ixys Corporation, IXFP14N60P3

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™ Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™…

IXFN73N30, Транзистор
Производитель: Ixys Corporation, IXFN73N30

Производитель: IXYS Категория продукта: Дискретные полупроводниковые модули Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Вид монтажа: C…

IXFN80N50P, Модуль
IXFN80N50P, Модуль
Производитель: Ixys Corporation, IXFN80N50P

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним…

IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
Производитель: Ixys Corporation, IXTY01N100D

МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25

IXTX5N250, Транзистор, MOSFET, N-канал, 2500В, 5А, 8.8Ом [PLUS-247]
IXTX5N250, Транзистор, MOSFET, N-канал, 2500В, 5А, 8.8Ом [PLUS-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTX5N250
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 2500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 8.8 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 960
Крутизна характеристики, S 4.5
Корпус plus-247

МОП-транзистор 2500V 5A HV Power МОП-транзистор

IXTR102N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 54А, 33мОм [ISOPLUS-247]
IXTR102N65X2, Транзистор, X2-Class MOSFET, N-канал, 650В, 54А, 33мОм [ISOPLUS-247]
Производитель: Ixys Corporation, IXTR102N65X2

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Производитель: Ixys Corporation, IXTQ50N25T
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 400
Крутизна характеристики, S 58
Корпус to-3p

16-BIT 1MSPS LOWER POWER ADC IC Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 2…

IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp]
IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp]
Производитель: Ixys Corporation, IXTP50N20PM
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 90
Крутизна характеристики, S 23
Корпус to-220fp

IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
Производитель: Ixys Corporation, IXTP4N65X2

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2 Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопр…