ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTP4N65X2, Транзистор N-MOSFET 650В 4A [TO-220]
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS X2
Серия силовых МОП-транзисторов IXYS X2 предлагает значительно меньшее сопротивление и заряд затвора по сравнению с более ранними поколениями силовых МОП-транзисторов, что приводит к снижению потерь и увеличению операционная эффективность. Эти прочные устройства включают в себя внутренний диод и подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме. Полевые МОП-транзисторы класса X2 доступны в различных стандартных корпусах, включая изолированные типы, с номиналами до 120 А при 650 В. Типичные применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, приводы двигателей переменного и постоянного тока, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, солнечные инверторы, управление температурой и освещением.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP4N65X2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774085
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
80Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
4А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.85Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5в
Вес, г
2.7
Техническая документация
IXT_4N65X2 , pdf
, 258 КБ
Datasheet , pdf
, 3875 КБ
Datasheet , pdf
, 239 КБ