ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP14N60P3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP14N60P3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFP14N60P3, Транзистор
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP14N60P3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1806332
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.66mm
Brand
IXYS
Series
HiperFET, Polar3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Power Dissipation
327 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.83mm
Height
16мм
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
