ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTY01N100D, Транзистор, MOSFET, N-канал, 1000В, 80Ом [TO-252]
Последняя цена
470 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTY01N100D
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774092
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
25Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
1кВ
Непрерывный Ток Стока
400мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
50Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
0В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Transistor Mounting
Surface Mount
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 281 КБ
IXTP-U-Y01N100D , pdf
, 152 КБ
Datasheet , pdf
, 95 КБ