ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTQ50N25T, Транзистор, Trench Gate, N-канал, 50А, 250В, 60мОм [TO-3P]
Последняя цена
380 руб.
Сравнить
Описание
16-BIT 1MSPS LOWER POWER ADC IC
Корпус TO3P, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTQ50N25T
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774089
Технические параметры
Вес, г
5.5
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
400
Крутизна характеристики, S
58
Корпус
to-3p
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 276 КБ
IXTQ50N25T , pdf
, 230 КБ
Datasheet , pdf
, 270 КБ