ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN73N30, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN73N30, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN73N30, Транзистор
Последняя цена
5600 руб.
Сравнить
Описание
Производитель: IXYS
Категория продукта: Дискретные полупроводниковые модули
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Вид монтажа: Chassis Mount
Упаковка / блок: SOT-227-4
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Серия: HiPerFET
Упаковка: Tube
Конфигурация: Single
Высота: 9.6 mm
Длина: 38.23 mm
Технология: Si
Ширина: 25.42 mm
Торговая марка: IXYS
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Время спада: 50 ns
Id - непрерывный ток утечки: 73 A
Pd - рассеивание мощности: 520 W
Тип продукта: Discrete Semiconductor Modules
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 45 mOhms
Время нарастания: 80 ns
Размер фабричной упаковки: 10
Подкатегория: Discrete Semiconductor Modules
Коммерческое обозначение: HyperFET
Типичное время задержки выключения: 100 ns
Типичное время задержки при включении: 30 ns
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V
Вес изделия: 30 g
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFN73N30
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1804873
Технические параметры
Вес, г
38.1
