ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-2…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTP50N20PM, Транзистор, Polar MOSFET, N-канал, 200В, 50А, 60мОм [TO-220fp]
Последняя цена
660 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP50N20PM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1774086
Технические параметры
Вес, г
3
Структура
n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
0.06 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
90
Крутизна характеристики, S
23
Корпус
to-220fp
Техническая документация
IXTP50N20PM , pdf
, 125 КБ