ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFN36N100, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFN36N100, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFN36N100, Транзистор
Последняя цена
5180 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFN36N100
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808353
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное рассеяние мощности
700 Вт
Тип монтажа
Panel Mount
Ширина
25.42мм
Высота
9.6мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
240 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
1000 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
38.23мм
Серия
HiperFET
Типичное время задержки выключения
110 нс
Тип корпуса
SOT-227B
Размеры
38.23 x 25.42 x 9.6мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
41 нс
Производитель
IXYS
Maximum Gate Threshold Voltage
5
Число контактов
4
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
380 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
9200 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
