IXFN80N50P, Модуль, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3450 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN80N50P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1804610

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

66 А

Максимальное рассеяние мощности

700 Вт

Тип монтажа

Panel Mount

Ширина

25.07мм

Высота

9.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

38.2мм

Серия

HiperFET, Polar

Типичное время задержки выключения

70 нс

Тип корпуса

SOT-227B

Размеры

38.2 x 25.07 x 9.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

25 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

195 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

12700 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet IXFN80N50P , pdf , 199 КБ

IXFN80N50P, Модуль - характеристики, поставщики

Последняя цена 3450 руб.

Техническая документация