SKM200GB12E4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module, Semikron Elektronik - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 22600 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Массивы и Модули

Двойные модули IGBT
Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.

Информация

Производитель

Semikron Elektronik

Артикул

SKM200GB12E4

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1375155

Технические параметры

Производитель

Semikron

Тип корпуса

SEMITRANS3

Тип монтажа

Монтаж на панель

Transistor Configuration

Серия

Длина

106.4мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

314 A

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

30мм

Число контактов

Размеры

106.4 x 61.4 x 30мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

61.4мм

Конфигурация

Двойной полумост

SKM200GB12E4, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 313 А, 1.8 В, 1.2 кВ, Module - характеристики, поставщики

Последняя цена 22600 руб.