SGW30N60FKSA1, IGBT, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 710 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные IGBT-транзисторы Infineon
Дискретные IGBT-транзисторы Infineon предлагают различные технологии, такие как NPT, Trenchstop ™ и Fieldstop. Их можно использовать во многих приложениях, которые могут требовать жесткого или мягкого переключения, включая промышленные приводы, ИБП, инверторы, бытовые приборы и индукционное приготовление пищи. Некоторые устройства включают встречно-параллельный диод или монолитно интегрированный диод.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

SGW30N60FKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1373488

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Package Type

TO-247

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

600 В

Pin Count

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Длина

15.9мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

600 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

41 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

20.95мм

Число контактов

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.95мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.3мм

Техническая документация

SGW30N60 , pdf , 332 КБ

SGW30N60FKSA1, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 710 руб.

Техническая документация