SEMiX603GB12E4p, Модуль транзистора IGBT, Semikron Elektronik - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31420 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули SEMiX® Dual IGBT
Двойные модули IGBT от Semikron в современных низкопрофильных корпусах SEMiX®, подходящих для приложений полумостового управления мощностью. В модулях используются беспаечные пружинные или запрессованные контакты, что позволяет устанавливать драйвер затвора непосредственно на верхней части модуля, экономя место и обеспечивая большую надежность соединения. Типичные области применения включают инверторные приводы переменного тока, ИБП, системы электронной сварки и возобновляемые источники энергии. Информацию о подходящих запрессовываемых модулях привода ворот см. С 122-0385 по 122-0387.

Информация

Производитель

Semikron Elektronik

Артикул

SEMiX603GB12E4p

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1371658

Технические параметры

Производитель

Semikron

Тип корпуса

SEMiX®3p

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Configuration

Серия

Длина

150мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

1.1 kA

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

17мм

Число контактов

Размеры

150 x 62.4 x 17мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

62.4мм

Конфигурация

Серия

SEMiX603GB12E4p, Модуль транзистора IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 31420 руб.