SEMiX303GB12E4p, Модуль транзистора IGBT, Semikron Elektronik - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 22630 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Модули SEMiX® Dual IGBT
Двойные модули IGBT от Semikron в современных низкопрофильных корпусах SEMiX®, подходящих для приложений полумостового управления мощностью. В модулях используются беспаечные пружинные или запрессованные контакты, что позволяет устанавливать драйвер затвора непосредственно на верхней части модуля, экономя место и обеспечивая большую надежность соединения. Типичные области применения включают инверторные приводы переменного тока, ИБП, системы электронной сварки и возобновляемые источники энергии.
Подходящие запрессованные модули драйверов затворов см. С 122-0385 по 122-0387

Информация

Производитель

Semikron Elektronik

Артикул

SEMiX303GB12E4p

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1371657

Технические параметры

Brand

Semikron

Package Type

SEMiX®3p

Mounting Type

Through Hole

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

150mm

Transistor Configuration

Series

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Continuous Collector Current

469 A

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

62.4mm

Height

17mm

Pin Count

Dimensions

150 x 62.4 x 17mm

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Channel Type

Configuration

Series

SEMiX303GB12E4p, Модуль транзистора IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 22630 руб.