RGTH80TS65DGC11, IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247N, Rohm - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 390 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench

Информация

Производитель

Rohm

Артикул

RGTH80TS65DGC11

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1351792

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247N

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

ROHM

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Gate Capacitance

85pF

Длина

16мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

70 A

Максимальное рассеяние мощности

234 W

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21mm

Размеры

16 x 5 x 21mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Ширина

5мм

Количество транзисторов

Pd - рассеивание мощности

234 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

70 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

70 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

450

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 200 nA

Торговая марка

ROHM Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

RGTH80TS65D

Серия

RGTH80TS65D

Технология

Непрерывный коллекторный ток

40 A

Диапазон рабочих температур

40 C to + 175 C

Техническая документация

Datasheet RGTH80TS65DGC11 , pdf , 1279 КБ

RGTH80TS65DGC11, IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247N - характеристики, поставщики

Последняя цена 390 руб.

Техническая документация