RJH65T46DPQ-A0#T0, IGBT, Renesas Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные БТИЗ, Renesas Electronics

Информация

Производитель

Renesas Technology

Артикул

RJH65T46DPQ-A0#T0

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1352561

Технические параметры

Brand

Renesas Electronics

Package Type

TO-247A

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

15.94mm

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Continuous Collector Current

80 А

Maximum Power Dissipation

340.9 W

Width

5.02mm

Pin Count

Dimensions

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Channel Type

Gate Capacitance

3000pF

Минимальная рабочая температура

55 C

Высота

21.13mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 30 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

340.9 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.8 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

+/- 1 uA

Торговая марка

Renesas Electronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247A-3

Техническая документация

Datasheet RJH65T46DPQ-A0 , pdf , 341 КБ
Datasheet RJH65T46DPQ-A0#T0 , pdf , 347 КБ

RJH65T46DPQ-A0#T0, IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.

Техническая документация