GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C] - характеристики, поставщики

GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]

Последняя цена 620 руб.

GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

GT50J325

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1770512

Технические параметры

Вес, г

9.75

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Корпус

2-21f2c

Технология/семейство

gen4

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

50

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

240

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

100

Техническая документация

GT50J325 , pdf , 168 КБ