GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN], Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Дискретные IGBT, Toshiba

Производитель

Toshiba

Артикул

GT50JR22(STA1,E,S)

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1770514

Вес, г

6.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.55

Корпус

to-3p(n)

Технология/семейство

gen 6.5

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

230

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

330

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+175

Импульсный ток коллектора (Icm), А

100

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

250

GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] - характеристики, поставщики