ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
GT30J127 Formed Leads
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1770507
Технические параметры
Вес, г
1.9
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Корпус
TO-220SIS
Технология/семейство
gen6
Наличие встроенного диода
нет
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
25
Импульсный ток коллектора (Icm), А
200
Техническая документация
GT30J127 , pdf
, 1026 КБ