Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

IRG4P254S, IGBT транз 250В 55А TO247

Производитель: International Rectifier, IRG4P254S

Максимальное напряжение КЭ ,В	250
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.5
Корпус	to-247ac
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	70
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	270
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	196
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	40

Сравнить

IRG4IBC30UDPBF, 600В 17А 60кГц TO220FP

Производитель: International Rectifier, IRG4IBC30UDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	to-220 fullpak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	17
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	91
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	68
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	40

Корпус TO220FP, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 17 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность…

Сравнить

IRG4IBC30KDPBF, Транзистор

Производитель: International Rectifier, IRG4IBC30KDPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.7
Корпус	to-220 fullpak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	17
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	45
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	160
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	34
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	60

Сравнить

IRG4IBC20UD, IGBT 600В 11А TO220FP, транзистор

Производитель: International Rectifier, IRG4IBC20UD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	to-220 fullpak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	11.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	34
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	93
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	52
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	39

Сравнить

IRG4IBC20KD, IGBT 600В 11А TO220FP

Производитель: International Rectifier, IRG4IBC20KD

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.8
Корпус	to-220 fullpak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	11.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	34
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	180
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	23
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	54

Co-Pack IGBT до 20A, Infineon Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) от Infineon предоставляют поставщику ши…

Сравнить

IRG4BH20K-S, IGBT+диод 1200В 11А D2Pak

Производитель: International Rectifier, IRG4BH20K-S

Максимальное напряжение КЭ ,В	1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	4.3
Корпус	d2-pak
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	11
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	60
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	93
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	22
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	23

Сравнить

IRG4BC40WPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 40А [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC40WPBF

Один IGBT до 20 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом, которы…

Сравнить

IRG4BC40UPBF, IGBT 600В 13А [TO-220]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC40UPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.1
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	110
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	34

Сравнить

IRG4BC40SPBF, Транзистор, IGBT 600В 31А 1кГц [TO-220AB]

Производитель: International Rectifier, IRG4BC40SPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.5
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	650
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	22

Один IGBT более 21 А, Infineon Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и об…

Сравнить

IRG4BC40FPBF, IGBT 600В 49А, [TO-220AB]

Производитель: Infineon Technologies, IRG4BC40FPBF

Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.7
Корпус	TO-220AB
Технология/семейство	gen4
Наличие встроенного диода	нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	49
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	160
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	240
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А	196
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	26

Сравнить