ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW75N60TFKSA1 (K75T60), Транзистор IGBT 600В 80А 428Вт [TO-247]
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKW75N60TFKSA1 (K75T60)
P/N
IKW75N60TFKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1772171
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2
Корпус
pg-to247-3
Технология/семейство
trench and fieldstop
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
428
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
330
Рабочая температура (Tj), °C
-40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
225
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
33
Техническая документация
Datasheet IKW75N60TFKSA1 , pdf
, 854 КБ
Datasheet IKW75N60T (Infineon) , pdf
, 859 КБ
Datasheet IKW75N60TFKSA1 , pdf
, 854 КБ