ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 5, 650В, 50А [PG-TO247-3]
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 650 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 80 А, Напряжение насыщения К-Э 2.1 В, Максимальная мощность 305 Вт, Заряд затвора 120 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKW50N65F5FKSA1 (K50EF5)
P/N
IKW50N65F5FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1772170
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
650
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.1
Корпус
pg-to247-3
Технология/семейство
trenchstop 5
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
305
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
175
Рабочая температура (Tj), °C
-40…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А
150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
21
Техническая документация
IKW50N65F5 , pdf
, 2184 КБ
Datasheet IKW50N65F5 , pdf
, 2248 КБ
Datasheet IKW50N65F5FKSA1 , pdf
, 2173 КБ