ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW40N65F5FKSA1, Транзистор IGBT 650В 74A 255Вт [PG-TO247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW40N65F5FKSA1, Транзистор IGBT 650В 74A 255Вт [PG-TO247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW40N65F5FKSA1, Транзистор IGBT 650В 74A 255Вт [PG-TO247-3]
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IKW40N65F5FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1772167
Технические параметры
Pin Count
3
Channel Type
N
Configuration
Single
Вес, г
7.5
Packaging
Tube
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
650
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.6
Maximum Continuous Collector Current (A)
74
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1
Maximum Power Dissipation (mW)
255000
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Automotive
No
Supplier Package
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
20.95
Package Length
15.9
Package Width
5.03
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Техническая документация
Datasheet IKW40N65F5 , pdf
, 2467 КБ
Datasheet , pdf
, 2666 КБ
Datasheet IKW40N65F5FKSA1 , pdf
, 2690 КБ