EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

RJP30H1DPD
Производитель: Renesas Technology

RJP30E2DPP, Транзистор
Производитель: Renesas Technology, RJP30E2DPP

RJH65T46DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 650В 80A [TO-247A]
RJH65T46DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 650В 80A [TO-247A]
Производитель: Renesas Technology, RJH65T46DPQ-A0#T0

Дискретные БТИЗ, Renesas Electronics

RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A]
RJH60F7DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT Chip N-CH 600В 90А 328.9Вт [TO-247A]
Производитель: Renesas Technology, RJH60F7DPQ-A0#T0
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75
Корпус to-247a
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 90
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 328.9
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 142
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 63

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT

RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
RJH60F5DPQ-A0#T0, Транзистор IGBT 600В 80А 260.4Вт [TO-247A]
Производитель: Renesas Technology, RJH60F5DPQ-A0#T0
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8
Корпус to-247a
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 260.4
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 105
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 53

RJH3047DPK-80#T2, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А [TO3P]
Производитель: Renesas Technology, RJH3047DPK-80#T2

NGTG50N60FWG, Транзистор IGBT 600V 100A 223W [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, NGTG50N60FWG
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7
Корпус to-247
Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода нет
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 223
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 285
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 117

NGTB45N60S2WG, Транзистор IGBT 45A 600В [TO-247]
NGTB45N60S2WG, Транзистор IGBT 45A 600В [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, NGTB45N60S2WG

NGTB30N120LWG, IGBT транзистор
Производитель: ON Semiconductor, NGTB30N120LWG

NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247]
NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, NGTB15N120IHWG

IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других при…