EL

Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW40V60DF
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3
Корпус to-247
Технология/семейство trench and fieldstop
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 283
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 208
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Импульсный ток коллектора (Icm), А 160
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 52

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора ма…

STGW40NC60WD, Транзистьор IGBT 600В 70А 250Вт [TO-247]
STGW40NC60WD, Транзистьор IGBT 600В 70А 250Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW40NC60WD

STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
STGW38IH130D, IGBT, 1300V, 63A, 250W, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW38IH130D
Максимальное напряжение КЭ ,В 1300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Корпус to-247
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 63
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 284
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 125

STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
STGW35HF60WD, IGBT 600В 60А 200Вт, [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW35HF60WD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-247
Технология/семейство hf, planar
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 175
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 150
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 30

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW30NC60WD

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
Производитель: ST Microelectronics, STGW30NC120HD

Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics

STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, STGW19NC60HD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-220
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 42
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 97
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25

STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STGP8NC60KD

STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, STGP7NC60HD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-220
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 72
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 50
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18.5

IGBT транзистор - Примечание: IGBT, 600V, 7A, TO-220 Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 25…

STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3]
Производитель: ST Microelectronics, STGP19NC60HD
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5
Корпус to-220
Технология/семейство powermesh
Наличие встроенного диода да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 130
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 97
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А 60
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25