ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247]
Последняя цена
357 руб.
Сравнить
Описание
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других приложений с сильноточной коммутацией.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NGTB15N120IHWG
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1784506
Технические параметры
Максимальная рабочая температура
175 C
Вес, г
7.5
DC Ток Коллектора
30а
Напряжение Коллектор-Эмиттер
1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.1В
Рассеиваемая Мощность
278Вт
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Техническая документация
NGTB15N120IHW , pdf
, 125 КБ
![NGTB15N120IHWG, Транзистор IGBT 15А 1200В [TO-247]](/file/p_img/1784506.jpg)